שוק התאים הפוטו-וולטאיים העולמי נשלט על ידי תאי סיליקון גבישיים. שיפור היעילות והפחתת העלות של סוללת סיליקון גבישי היא המפתח לפיתוח התעשייה הפוטו-וולטאית. מתאי השדה האחורי של אלומיניום המיוצרים בהמוניו, ל-PERC (פסיבציה של פולט ומגע אחורי), לתאי HJT (הטרו-צומת של השכבה האמורפית הפנימית) ותאי TOPCon (תאי מגע לפסיבציה של תחמוצת מנהרה), ולתאי למינציה עתידיים, היעילות של תאים פוטו-וולטאיים מתקרבת לגבול, מה שמוביל לפריצת דרך בעלות ובקנה מידה.
למרות שהטכנולוגיה של תאים פוטו-וולטאיים עברה איטרציה והיעילות שופרה, העיקרון הבסיסי ותהליך הליבה של תאי סיליקון גבישי לא השתנו, כלומר, ניקוי קשמיר, קשר דיפוזיה, ציפוי פסיבציה, מתכת ארבעה שלבים.
1) ניקוי נוהרים ניקוי משמש בעיקר להסרת זיהומים ושכבת נזק על פני השטח של פרוסות סיליקון, נוהרים משמשים ליצירת מבנה פירמידה על פני פרוסות הסיליקון כדי להפחית את ההשתקפות.
2) צומת PN הוא מבנה הליבה של תאים פוטו-וולטאיים. זה בדרך כלל מתאים לסוללות צומת הומוגניות.
3) סרט הפסיבציה נוצר על פני התא על ידי ציפוי ואקום, אשר ממלא תפקיד מפתח בשיפור יעילות התא ומהווה את נקודת המוצא העיקרית לשיפור יעילות התא.
4) מתכת משמשת ליצירת האלקטרודות הקדמיות והאחוריות של תא פוטו-וולטאי, בדרך כלל על ידי הדפסת מסך. תהליך המתכת קשור קשר הדוק לתהליך הפסיבציה, וממלא תפקיד מפתח בהפחתת רקומבינציה של מיעוט ואובדן התנגדות. בנוסף, כולל גם תחריט, זיהוי ושלבים כלליים אחרים, בקו טכנולוגיית הסוללה השונה של הבדל קטן.